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產品介紹
產品應用
半導體、封裝測試、IC載板
Chrome Mask 光罩產品與製程
光罩(掩膜版)是IC製造過程中不可或缺的模具，光罩之製造為訂單生產方式，收到客戶訂單後，由資料處理工程師將客戶資料整合，再透過電腦輔助設計系統，以電子束或雷射光束曝光方式，將電路烙印在玻璃板上，再經過顯影、蝕刻、去光阻等過程即完成光罩製作，而這個烙印的玻璃板即是所謂的光罩。光罩尚需經過CD量測、註記差量測及缺陷檢驗以符合客戶需求，最後加以清洗、覆蓋防塵薄膜而出貨。
標準產品
A.1X Photomask
放大倍數
1X
1X
材質
SL GlassX
Quartz
尺寸
5”、6”、7”、9”
4”、5”、6”、7”
晶圓曝光方式
PLA Aligner (copies)
PE, MPA (Projector)
CD
±0.3µm
±0.1µm
註記差
±0.2µm
±0.2µm
缺點尺寸
≦2dpsi@2µm
≦2dpsi@1µm
B.UT 1X Reticle
-Reticle material：Quartz
-Reticle dimension：3”x5”、5”x5”、6”x6”
-CD Tolerance：±0.1µm
-Registration：±0.1µm
-Defect：±0.5µm
C.5X、4X、2.5X、2X、Reticle for stepper
-Reticle material：Quartz
-Reticle dimension：5”x5”x0.09、6”x6”x0.12、6”x6”x0.25
-Stepper Type：ASML, NIKON, CANON
-CD Tolerance：Mean to target ≧ 0.015µm,Uniformity (3δ) ≧ 0.020µm
-Registration：±0.03µm
-Defect：±0.15µm
D.Large Area Mask (LAM)
Mask Material / Size
Max.: 24”x32” Chrome
Min Line / Space
6µm
Line Tolerance
±0.1µm
Mask Defect
3µm
90nm ~ 130nm 先進高階光罩製程技術
鑒於光導體市場對於90nm ~ 130nm 先進高階製程光罩需求日益成熟，本公司採用化學放大型光阻 (CAR; Chemically Amplified Resist)製程技術，配合新型高階電子束曝光機及乾蝕刻機製程，進行高階光罩量產製作。
此製程藉由化學放大型光阻優良之解析能力及高階電子束曝光機、乾蝕刻機的特性，可以增加產能縮短交期，亦可製作不同型式的OPC光罩、PSM光罩及先進高階光罩(0.09~0.13µm)。此良好之光罩品質配合適切之服務，本公司可符合半導體市場及不同客戶在先進高階光罩上的需求。
