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產品介紹

產品應用

半導體、封裝測試、IC載板

Chrome Mask 光罩產品與製程

光罩(掩膜版)是IC製造過程中不可或缺的模具,光罩之製造為訂單生產方式,收到客戶訂單後,由資料處理工程師將客戶資料整合,再透過電腦輔助設計系統,以電子束或雷射光束曝光方式,將電路烙印在玻璃板上,再經過顯影、蝕刻、去光阻等過程即完成光罩製作,而這個烙印的玻璃板即是所謂的光罩。光罩尚需經過CD量測、註記差量測及缺陷檢驗以符合客戶需求,最後加以清洗、覆蓋防塵薄膜而出貨。

標準產品

A.1X Photomask

放大倍數

1X

1X

材質

SL GlassX

Quartz

尺寸

5”、6”、7”、9”

4”、5”、6”、7”

晶圓曝光方式

PLA Aligner (copies)

PE, MPA (Projector)

CD

±0.3µm

±0.1µm

註記差

±0.2µm

±0.2µm

缺點尺寸

≦2dpsi@2µm

≦2dpsi@1µm

B.UT 1X Reticle

-Reticle material:Quartz
-Reticle dimension:3”x5”、5”x5”、6”x6”
-CD Tolerance:±0.1µm
-Registration:±0.1µm
-Defect:±0.5µm

C.5X、4X、2.5X、2X、Reticle for stepper

-Reticle material:Quartz
-Reticle dimension:5”x5”x0.09、6”x6”x0.12、6”x6”x0.25
-Stepper Type:ASML, NIKON, CANON
-CD Tolerance:Mean to target ≧ 0.015µm,Uniformity (3δ) ≧ 0.020µm
-Registration:±0.03µm
-Defect:±0.15µm

D.Large Area Mask (LAM)

Mask Material / Size

Max.: 24”x32” Chrome

Min Line / Space

6µm

Line Tolerance

±0.1µm

Mask Defect

3µm

90nm ~ 130nm 先進高階光罩製程技術

鑒於光導體市場對於90nm ~ 130nm 先進高階製程光罩需求日益成熟,本公司採用化學放大型光阻 (CAR; Chemically Amplified Resist)製程技術,配合新型高階電子束曝光機及乾蝕刻機製程,進行高階光罩量產製作。

此製程藉由化學放大型光阻優良之解析能力及高階電子束曝光機、乾蝕刻機的特性,可以增加產能縮短交期,亦可製作不同型式的OPC光罩、PSM光罩及先進高階光罩(0.09~0.13µm)。此良好之光罩品質配合適切之服務,本公司可符合半導體市場及不同客戶在先進高階光罩上的需求。